Елисеев Игорь Алексеевич, 1969 года рождения, окончил физический факультет Иркутского государственного университета в 1995 году.

В 2005 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Моделирование высокотемпературных процессов рафинирования высокочистого металлургического кремния как сырья для выращивания мультикремния для солнечной энергетики» по специальности 01.04.14 - «Теплофизика и теоретическая теплотехника».

Научные интересы И. А. Елисеева связаны с разработкой безхлорной технологии получения мультикремния для солнечных элементов на основе прямого рудотермического восстановления. Основными концепциями разрабатываемой технологии являются: использование высокочистых исходных материалов – обогащенной кварцевой крупки и высокочистых углеродных восстановителей, прошедших механоактивационную обработку для повышения активности и брикетирование для использования в существующих печах для восстановления.

Основные публикации:

1. Елисеев И.А., Непомнящих А.И. Разработка промышленной технологии удаления бора при рафинировании кремния // Известия вузов. Прикладная химия и биотехнология. - 2013. - № 1. - C. 95-101.

2. Непомнящих А.И., Пресняков Р.В., Елисеев И.А., Сокольникова Ю.В. Особенности роста мультикристаллического кремния из иеталлургического кремния высокой чистоты// Письма в ЖТФ. - 2011. - Т. 37, № 15. - С. 103-110.

3. Nepomnyashchikh A.I., Presnyakov R.V., Eliseev I.A., Sokolnikova Yu.V. Specific Features of Multicrystalline Silicon Growth from High-Purity Commercial Silicon // Technical Physics Letters. - 2011. - V. 37, № 8. - P. 739742.

4. Елисеев И.А., Непомнящих А.И., Бычинский В.А. Компьютерная модель рафинирования расплава кремния от бора и фосфора// Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2006. - № 4. - С. 53-60.

5. Пат. 2131843 Российская Федерация. 
Способ получения кремния высокой чистоты / Непомнящих А.И., Красин Б.А., Романов В.С., Еремин В.П., Коляго С.С., Елисеев И. А. Приоритет от 30.03.98; Опубл. 20.06.99, Бюл. № 17.