Комплекс установок для выращивания кристаллов
Эксплуатируется в рамках ЦКП «Изотопно-геохимических исследований» ИГХ СО РАН
Установлены в отделе физики твердотельных материалов.
Заведующий отделом д.ф.-м.н. Александр Иосифович Непомнящих,
тел.: (3952) 51-14-66
Область применения:
установки типа СЗВН-20 предназначены для группового выращивания монокристаллических трубок из лейкосапфира диаметром 4-10 мм или одиночных трубок диаметром до 20 мм. Установки универсальные и в отделе физики твердотельных материалов используются для выращивания широкого спектра кристаллов – фторидов щелочных, щелочно-земельных и редкоземельных элементов, монокристаллического и мультикристаллического кремния, бериллиевого индиалита, а также для плавки стекол и моделирования процессов восстановления кремния.
Технические характеристики:
установленная мощность 70 КВА, номинальная температура в рабочем пространстве не более 2050 °С, предельное остаточное давление в холодном состоянии 6.7∗10-3 Па, избыточное давление инертного газа 6.9∗104 Па. Установки позволяют реализовывать практически все методы выращивания монокристаллов из расплава. В отделе проведена реконструкция двух установок с введением дополнительных токовводов для создания необходимых тепловых условий для выращивания крупногабаритных кристаллов длиной до 300 мм.
