РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки
Институт геохимии А.П. Виноградова
Сибирское отделение РАН

Научный совет по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения РАН

X Конференция и IX Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе.

«КРЕМНИЙ-2014»

г. Иркутск, пос. Листвянка (оз. Байкал),
07-12 июля 2014 г.

Информационное письмо

Конференция «Кремний-2014» является продолжением серии научных конференций посвященных кремнию. Свою историю она ведет с общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится Школа для молодых ученых и специалистов. За эти годы мероприятие превратилось в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ, могут обсудить актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему в себя получение металлургического и поликристаллического кремния, рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе.

В рамках Школы для молодых ученых и студентов будут прочитаны лекции, призванные ознакомить будущих ученых с наиболее важными и интересными проблемами в области получения кремния и создания современных приборов на его основе. На конференции будут представлены приглашенные доклады ведущих ученых, работающих в области материаловедения кремния и его применений, а также устные и стендовые доклады. Для конференций, проводящихся в Иркутске, стало традиционным включать в тематику проблемы получения и очистки металлургического кремния и создания на его основе материала для производства солнечных батарей, а так же другие аспекты альтернативной энергетики на базе прямого преобразования солнечного света в электрическую энергию.

Основные темы конференции:

1. Методы получения и очистки металлургического кремния.

2. Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.

3. Процессы роста из расплава.

4. Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge, SiGe);

5. Производство полупроводникового кремния и структур на его основе;

6. Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе и напряженные структуры;

7. Физика кремниевых квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;

8. Нанотехнологии кремниевой электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;

9. Диагностика кремния и приборных структур на его основе;

10. Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.

11. Методы и аппаратура для роста и исследования кремния.

Предполагается проведение круглого стола посвященного проблемам преподавания материаловедения полупроводниковых материалов.

Форма докладов:
1. Пленарные - 25 мин.
2. Устные - 15 минут.
3. Стендовые – размер стенда 1x1.5 м.

Язык Конференции: Русский и английский.